エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、eToF™レーザー・ドライバICのEPC21601が権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）のパワー半導体／ドライバICの2021年の製品賞を受賞したと発表しました。

WEAA賞は、世界中の電子産業の革新と発展に、卓越した貢献をした製品を称える賞です。米ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと世界中のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、米EETimes誌や米EDN誌などの雑誌を発行する世界最大の電子産業メディアであり、米SaaSグループです。

「EPCチームを代表して、ASPENCOREチームと、当社のeToFレーザー・ドライバICの EPC21601に対するこの権威あるWorld Electronics Achievement Awardのすべての投票者に感謝します。当社のGaN IC技術の最近の進歩によって、飛行時間（ToF : time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システムの設計方法を変える準備ができています。eGaN FETとドライバをワン・チップに統合すると、非常に強力で超高速のICが生まれ、ToF型Lidarシステムのサイズとコストが削減されるので、民生用電子機器のアプリケーションで広く採用されています」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のDr. Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、受賞に対してコメントしています。

eToF™レーザー・ドライバICのEPC21601は、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機で使われる飛行時間ToF型Lidarシステム向けに、40 V、10 AのFETとゲート・ドライバを統合し、論理レベル3.3 Vの入力段をワン・チップに集積した製品です。

EPC21601は、100 MHzを超える非常に高い周波数と2ns以下の超短パルスで、最大10 Aのレーザー駆動電流を変調できます。オン時間とオフ時間は、それぞれ410 psと320 psです。

EPC21601は、EPC独自のGaN IC技術を使って、ドライバとeGaN FETをワン・チップに集積し、面積がわずか1.5 mm✕1.0 mmのチップスケールBGAの形態に収めてあります。この小さな形状といくつかの機能の統合によって、同等のマルチチップのディスクリート実装と比べて、プリント回路基板上でのソリューションが全体で36％小さくなります。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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