Industry's first eGaN FET Driver simplifies switching design Posted 2011年6月23日 GaN (Gallium-Nitride) FETs appear poised to eat into silicon FETs market share as switching devices for high-voltage power conversion circuits. By Margery Conner EDN June 20, 2011 Read the article 最も閲覧された関連記事 Dedicated Driver Squeezes Optimal Performance Out Of Enhancement-Mode GaN FETs GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで Si対GaN対SiC：私の電源設計には、どのプロセス、どのサプライヤがベストですか？ GaNオン・シリコンに基づくFETが新しい用途を育てる Efficient Power Conversion：エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタ