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エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、4年以上の間、市販品を入手可能であり、成熟したシリコン・パワーMOSFETによって以前から独占されていた多くのアプリケーションに浸透してきています。
Power Pulse
寄稿者:Alex Lidow
2013年10月
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EPCのDavid Reuschは、エンハンスメント・モードGaN、および、損失を低減することに貢献するパッケージ不要のパッケージについて語ります。
Electronic Products誌
2013年10月
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EPCの一般的なエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)FETの商用の高鉛版であるEPC2801、EPC2815、EPC2818を製品化
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド、www.epc-co.com)は2013年10月16日、より高い温度のはんだ付けが必要な用途に最適な高鉛はんだ端子を備えたデバイスを発売しました。このEPC2801、EPC2815、EPC2818は、高鉛(鉛95%、スズ5%)のはんだ端子が特徴です。
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eGaN FETのこのファミリーの製品化で、パワー・システムやRFの設計者は今、高性能窒化ガリウム・パワー・トランジスタを利用できるため、シリコンでは達成できない革新的な設計が可能になります。
Bodo's Power Systems誌
2013年10月
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この回では、絶縁型DC-DC電力変換に使われる複雑なハード・スイッチング・コンバータが議論されます。
EEWeb
Alex Lidow
2013年10月
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