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GaNオン・シリコンに基づくFETが新しい用途を育てる

過去数年間、確立したシリコンMOSFETの座を奪う窒化ガリウム(GaN)ベースのパワー・トランジスタに関する話がたくさんありました。新たに出現した窒化ガリウム・オン・シリコン(GaNオン・シリコン)・ベースのパワーFETが、主流の電力変換の領域に参入するまでに、いくらかの時間がかかるかもしれません。しかし、その間に、新たに出現した用途のうちの一握りは、この有望なパワー技術の背中をポンと押す態勢を整えています。信頼性が高く商業的に利用可能なことに加えて、これらの新しい用途を育てているユニークなGaNの特性がいくつかあります。

Ashok Bindra
米How2Power Today誌
2012年12月

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Efficient Power Conversion Corporation(EPC)、窒化ガリウム(GaN)トランジスタの中国語版テキストを出版

業界のエキスパートが執筆した『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』には、窒化ガリウム・トランジスタの理論と応用の両方が記載されています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2012年12月3日、窒化ガリウム・トランジスタのテキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の簡体字中国語版を出版したと発表しました。このテキストは、電源システムの設計エンジニアに、窒化ガリウムに基づくトランジスタを使って、より高効率な電力変換システムを設計する方法に関する基本的な技術や応用に焦点を当てた情報を提供します。

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