EPC社の新しい開発基板は、バック（降圧型）・コンバータ、またはZVSのD級アンプのいずれかに構成することができ、eGaN FETの同期ブートストラップで強化されたゲート駆動を利用して高周波での損失の低減を実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年3月30日、開発基板3品種（EPC9066、EPC9067、EPC9068）を製品化しました。いずれもバック（降圧型）・コンバータ、またはZVS（ゼロ電圧スイッチング）のD級アンプとして構成できます。これらの基板は、電源システムの設計者が、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価する方法を提供するので、設計者は、自分の製品を迅速に量産に移行することができます。今回の3種の基板はすべて、最高15 MHzまでの高周波動作時の効率を高めるために、逆回復電荷（Q_RR）がゼロの同期ブートストラップ整流器で強化されたゲート・ドライバを備えていることが特徴です。各基板は、バック型やZVSのD級アンプの構成において、最大で2.7 Aの出力電流を供給することができます。損失の低減は、全電流範囲にわたって実現されます。

機器を無線で充電するための2つの規格がありますが、1つの回路で、その両方に対する充電ノードとして機能するように工夫することができます。

米Design World誌
Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
2016年3月
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Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、パワー・マネージメント（電源管理）のための先進的な包絡線追跡向けに、窒化ガリウムを利用することについて語ります。信号を追跡し、必要な分だけ出力する増幅システムは、エネルギーを大幅に削減でき、特性を向上させることができることを説明します。

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Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、使命感のある男です。彼の南カリフォルニアの会社Efficient Power Conversion（EPC）は、無線充電や4G LTEから、拡張現実や自動運転車までのエキサイティングな用途向けに、シリコン・チップに代えて窒化ガリウム（GaN）チップを使っています。

しかし、このホットな新技術は、最終的に3000億米ドルの半導体市場において、至る所にあるシリコン・チップを置き換えることができるのでしょうか？

米Fox Business誌
By Steve Tobak
2016年3月18日
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エネルギー・ハーベスティング（環境発電）やワイヤレス・パワー伝送のような魅力的なテーマが、来週のAPEC会議で「ゲスト出演」する可能性があります。GaNトランジスタの展開を注意深く見ましょう。しかし、現在の生活を支える「ブレッド・アンド・バター」を維持するためには、データセンターのエネルギー伝送効率の改善を推進することです。

米EE Times誌
By: Stephan Ohr、コンサルタント、半導体業界アナリスト
2016年3月16日
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Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、米スタンフォード大学の応用物理の博士号を取得した後、1940年代に父親のEric Lidowによって設立された上場半導体企業の米インターナショナル・レクティファイアー（IR）社で30年間を過ごしました。

Alexは、IR社のパワー・マネージメント（電源管理）技術を先導し、その事業が確立された中核特許の共同執筆者であり、1995年に兄のDerekと共に共同CEO（最高経営責任者）となりました。Derekが1999年に市場調査会社iSupply 社を設立して去った後、１人で会社を経営しました。

米Entrepreneur誌
By: Steve Tobak
2016年3月
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EPC社のフェーズ7の信頼性レポートは、eGaN^®FETが確かな信頼性を備えており、従来のシリコン・デバイスを置き換える信頼できるソリューションであることを示しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年3月14日、合計170億フィールド-デバイス時間以上での分布を示し、ストレス下で700万等価デバイス-時間以上のテスト・データの詳細をまとめたフェーズ7の信頼性レポートを発表しました。ストレス・テストには、断続動作寿命（IOL：intermittent operating life）、初期寿命故障率（ELFR：early life failure rate）、 バイアスを加えた湿気、温度サイクル、静電気放電などが含まれています。この研究では、フィールドに存在する製品に対して、複合FIT率は0.24であり、この値は、現在までのEPC社の現場でのすべての評価と一貫性があり、eGaN FETは、商用の電源スイッチング用途向けに、成熟したシリコンを補完する準備ができていることを実証しています。

私たちの社会の中で、情報への需要は、かつてない速度で拡大しています。より大量の情報に、より高速にアクセスしたいという傾向は、クラウド・コンピューティングや、あらゆるモノをインターネットでつなぐIoT（Internet of Things）のような技術の出現で、減速の兆しがありません。情報の高速な伝送を可能にするものは、ほとんどのデータが集中するラックやサーバーのラックにあります。

米EEWeb誌
Alex Lidow博士、David Reusch博士、John Glaser博士
2016年3月
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このシリーズは、eGaN^®技術の信頼性が確認されたさまざまな方法や、故障の物理学の理解からモデルを開発する方法を調べて、ほぼすべての動作条件の下で故障率を予測する助けにすることです。この最初のパートと次のパートで、自動車のヘッドライトから、医療システムや4G/ LTEの通信システムまで、さまざまな用途で使うGaNトランジスタの過去6年間の現場経験を見ていきます。各パートの失敗談は、学習した貴重な教訓を導き出します。

米Planet Analog誌
Chris Jakubiec、Robert Strittmatter博士、Alex Lidow博士
2016年3月１日
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