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IEEE Power Electronics Society(PELS)のウェビナ、「包絡線追跡バック・コンバータに窒化ガリウム(GaN)FETを使う」

9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society(PELS)が主催する9月3日の1時間(午前11:00~12:00(EDT))のウェビナを実施すると発表しました。

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WiGaN:高周波でのハード・スイッチング・コンバータ用eGaN FET

この記事では、10 MHzでスイッチングするハード・スイッチングのバック(降圧型)・コンバータの結果を示し、コンバータの損失の内訳を説明します。eGaN® FETを使って、現在利用可能な並ぶもののない高周波特性を実証し、より高いスイッチング周波数へ押し上げるための現在の制約にも焦点を当てます。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年8月

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