耐圧100Vの窒化ガリウムFET「EPC8010」は、3GHz帯における正相増幅の高周波用途向けに最適化されます。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月20日、高速、高性能トランジスタのファミリーを拡大し、新たにパワー・トランジスタ「EPC8010」を発売しました。半導体チップの形状で販売されるEPC8010は、最大ドレイン-ソース間電圧VDSが100Vで、面積は、わずか1.75 mm2です。高速スイッチング用に最適化されています。EPC8010のオン抵抗RDS(on) （内部抵抗）の最大値は160mΩ、入力ゲート電荷は数100ピコ・クーロン（pC）です。
このデバイスは、サブ・ナノ秒（ns）程度のスイッチング遷移速度なので、10MHz以上のハード・スイッチング用途で動作可能な他に類のない製品です。10MHz以上で設計されたので、この製品は、低いGHz帯において十分高い利得を備えた非常に良い小信号RF特性を示し、RF用途向けの競争力のある選択肢になります。
低電力、小型、高周波のEPC8010の利点を生かせる用途には、包絡線追跡、RFパワー・アンプ、および、携帯機器を無線充電するための高共鳴ワイヤレス・パワー伝送システム向けの数MHz帯で動作するハード・スイッチングのパワー・コンバータがあります。
「EPC8010は、超高速eGaN FETファミリーに加わった優れた新製品です。これは、当社および窒化ガリウム・トランジスタ技術を、成熟したMOSFETの能力を超える用途を可能にする高いレベルに到達させます。このeGaN FETは、パワー・スイッチングとRFの両方の用途で使うことができます」と、EPCの共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。
さらに、2つのEPC8010を、最小スイッチング周波数500kHzのハーフブリッジ構成にした開発基板「EPC9030」も用意しました。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータの中に簡単に接続することができる単一基板を用意することで、EPC8010の評価プロセスを単純化することです。
EPC8010の評価単位は2個と10個のパックで提供され、価格は40米ドルからです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（ http://bit.ly/EPC8010DK）で購入できます。
開発基板EPC9030の単価は、150米ドルです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（http://bit.ly/EPC9030DK）で購入できます。
設計情報とeGaN FETのサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
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