GaNトランジスタを搭載した低電圧DC/DCコンバータの特性を改善：。
一般に入手可能で費用対効果の高い窒化ガリウム（GaN）・パワー・トランジスタの出現は、パワー・エレクトロニクスの新たな時代の始まりです。入力電圧が約48 VDCで負荷電圧が1 VDCと低い既存のデータセンターや通信アーキテクチャのパワー・コンバータに、エンハンスメント・モード窒化ガリウムFET（eGaN FET）デバイスを利用する大きな利点があります。高性能GaNパワー・トランジスタは、従来のSi MOSFETベースのアーキテクチャで得られる効率よりも高くでき、電力密度も高められるので、データセンターや通信システムを強化する新しいアプローチが可能になります。

米Power Systems Design誌
David Reusch博士、John Glaser博士
2016年1月25日
記事を読む