エネルギー効率の基準が厳しくなるにつれて、高電圧の炭化ケイ素と低電圧のGaNが従来のシリコンに取って代わり、より発熱が少なく、より軽量、そして、より大電力の電子機器を実現しています。Guy MoxeyとEPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）の懇談に加わって、より持続可能な未来に向けた競争において、米ウルフスピードとEPCの技術がどのように互いに補完し合うかを探りましょう。

ワイド・バンドギャップ半導体の米ウルフスピード
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ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体パワー部品の主流の材料は、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）です。それらは、エネルギーの節約と持続可能性に対する意識の高まりと共に、今日、さまざまなパワー・システムのアプリケーションで最も好まれるデバイスになっています。Tech Taipei 2022 ConferenceがWBGをテーマに採用したのはこれが初めてでした。業界の主要なプレーヤーからの講演者が設計、製造、テストの各分野から招待され、会議の400人を超える参加者に最新の技術とアプリケーションのトレンドを紹介しました。

台湾のEE Times Taiwan誌
2022年3月25日
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Efficient Power ConversionのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、次世代マイクロチップと世界のワイヤレス・パワーを創造するための窒化ガリウムの利用方法について、Leo Laporte氏に語っています。

米オンライン・ニュースのThis Week in Technology
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スイッチング速度が速いパワー・トランジスタは、電源の小型化とエネルギー伝送の高効率化を可能にします。実際、設計者は、ヒートシンクの除去によって、ワイヤレス・パワー伝送を可能にする電源などで、まったく新しい形状のパワー段やモジュールを思い浮かべることができます。シリコン基板上に形成した窒化ガリウム（GaN）・トランジスタは、電源を高効率化でき、実装面積の削減に貢献します。

米Electronic Design誌
2016年3月
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