EPCの信頼性レポートのフェーズ11が、これまでの10件のレポートで公開された知識ベースに追加されます。このレポートによって、EPCは、1230億デバイス時間の実地経験と、シリコンのパワー・デバイスに匹敵する耐久性を実証しています。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月2日、信頼性レポートのフェーズ11を発表しました。このレポートで、驚くべきフィールド信頼性記録を実現するために採用した戦略を文書化しています。この戦略は、自動運転車用Lidar（光による検出と距離の測定）、LTE基地局、車両のヘッドランプ、衛星など、要求の厳しいアプリケーションに対応するより丈夫な製品を製作するために、さまざまな条件下で、デバイスを故障するまで強制的にテストすることに基づいています。

この記事では、eGaN FETの高い電子密度と非常に低い温度係数が、今日の高性能アプリケーションに必要とされるパワーMOSFETを超える主な優位性となることを示します。高電子密度が優れたオン抵抗RDS(ON)につながり、正の温度係数がチップ内のホット・スポットの発生を抑制し、この結果、優れた安全動作領域（SOA）特性が得られます。

By Yanping Ma博士、EPC社、品質部門のディレクタ
Bodo's Power Systems誌

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eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域（SOA）データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。