自動車用GaNの用途

インフォテインメント/D級オーディオ

インフォテインメント/D級オーディオ
GaNは、サイズを縮小し、効率を高め、より低い温度で動作します
高効率な動作>2 MHz(AMラジオ帯域より上)

最近のインフォテインメント・システムには、タッチ・スクリーン機能、Bluetooth通信、高解像度デジタル・テレビ、衛星ラジオ、GPSナビゲーション、さらにはゲームなど、多くの高度な機能が含まれています。これらのシステムは、自動車のパワー・システムにさらなる電力需要をもたらします。

GaNデバイスは、シリコンMOSFETと比べると、サイズがはるかに小型で、容量が小さくなっています。最先端のシリコンMOSFETと比べたGaNトランジスタの優れた性能指数FoM(figure of merit)によって、これらのシステムのDC-DC変換を、より小型、より高効率で、より低い温度で動作する低コストのソリューション向けに、はるかに高い周波数で設計できます。これらのシステムは、AMラジオ帯域以上で高効率に動作できます。

DC-DCソリューションに加えて、GaN FETは、D級オーディオ・システムにメリットをもたらします。D級の場合、オーディオ特性はFETの特性に影響されます。GaN FETは、より忠実なDオーディオ・アンプを可能にします。

GaN Infotainment/Class-D audio

リファレンス・デザイン

インフォテインメント/D級オーディオ用リファレンス・デザイン

型番 構成 出力電力 周波数応答
KS25-3WBAEVALZ
KS25-3WBAEVALZ 3-in-1スマート・スピーカのリファレンス・デザイン 100 W×1+25 W×1、8Ω 20Hz to 20kHz, +/-0.5dB ルネサスに問い合わせ
DigiGaN-200S
DigiGaN-200S DSP付き高性能D級eGaN FETアンプ・モジュール 50 W x 4 / 8 Ω
200 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.2dB 米EAS社に聞く
DigiGaN-400S
DigiGaN-400S DSP付き高性能D級eGaN FETアンプ・モジュール 100 W x 4 / 8 Ω
400 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.2dB 米EAS社に聞く
GaNAMP2001
eGaNAMP2001 高性能D級eGaN FETアンプのモジュール 200 W x 4 / 8 Ω
400 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.5dB 米EAS社に聞く
GaNAMP1002
eGaNAMP1002 高性能D級eGaN FETアンプのモジュール 100 W x 4 / 8 Ω
400 W x 2 / 8 Ω
20Hz-20kHz +/-0.5dB 米EAS社に聞く

EPCのアプリケーション・チームは常に、新しいリファレンス・デザインに取り組んでいます。リストされている基板で満たされていない要件がある場合は、「GaNのエキスパートに聞」から当社に連絡し、あなたのアプリケーションについてさらに話し合ってください。

ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。

製品

インフォテインメント/D級オーディオに推奨するAECデバイス

型番 狀況 構成 VDS
最大
VGS
最大
最大
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
ID (A) パルス ID
(A)
パッケージ
(mm)
EPC2214 Active シングル AEC 80 6 20 1.8 0.5 0.3 8 10 47 BGA 1.35 x 1.35 購入
EPC2252 Preferred シングル AEC 80 6 11 3.5 1 0.5 15 8.2 75 BGA 1.5x1.5 購入
EPC2204A Preferred シングル AEC 80 6 6 5.7 1.8 0.8 25 29 125 LGA 2.5 x 1.5 購入
EPC2218A Preferred シングル AEC 80 6 3.2 10.5 3.2 1.5 46 60 231 LGA 3.5 x 1.95 購入
GaN Power Bench

あなたの設計プロセスを支援するために、クロス・レファレンス検、設計ツール、モデル、およびGaN Power Benchの特性シミュレーションにアクセスしてください。

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技術資料

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