Growing ecosystem for GaN Power Conversion at EPC

窒化ガリウム（GaN）FETのドライバとコントローラ

窒化ガリウムFETベースの電力変換システムは、シリコン・ベースの代替システムよりも高効率で、電力密度が高く、システム全体のコストを削減できます。これらの優れた特性によって、eGaN FETの性能をさらに強化するゲート・ドライバ、コントローラ、受動部品などのパワー・エレクトロニクス部品のエコシステムが増え続けています。

台湾uPI Semiconductor、米テキサス・インスツルメンツ、米マイクロチップ･テクノロジーなどの半導体サプライヤは、GaNベースの設計に対して拡大し続ける需要を満たすために、ドライバやコントローラを製品化し続けています。

以下は、eGaN FETと互換性のある既存のICのリストです。

GaNの利用法04a：設計の基本：ゲート駆動。 このビデオでは、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使うための基本的な手法について説明します。
 

降圧および 昇圧コンバ ータ向けコ ントローラ

型番 メーカー 機能 Input 概要 周波
MIC2128米マイクロチップ・テクノロジーBuck4.5 - 75 V適応型オンタイム制御と外部ソフト・スタートを備えた75 Vの同期整流型降圧コントローラ270 kHz - 800 kHz
LTC7890米アナログ・デバイセズ降圧5 - 100 Vデュアル、GaN専用100 kHz - 3 MHz
LTC7891米アナログ・デバイセズ降圧5 - 100 Vシングル、GaN専用100 kHz - 3 MHz
ISL81806ルネサスエレクトロニクス降圧5 - 80 Vデュアルまたは2相、GaN専用100 kHz - 2 MHz
ISL81807ルネサスエレクトロニクス昇圧5 - 80 Vデュアルまたは2相、GaN専用100 kHz – 2 MHz
MIC2132 米マイクロチップ・テクノロジー降圧5 - 75 V 2相、超高速過渡応答、最大8相までスタック可能 100 kHz – 1 MHz
RT6190台湾Richtek Technology降圧/昇圧5 - 36 V4-FET、双方向、降圧-昇圧、I2Cインタフェース250 kHz - 1 MHz
LT8390A米アナログ・デバイセズ降圧/昇圧5 - 60 V4-FET, 降圧/昇圧600 kHz - 2 MHz
LM5141米テキサス・インスツルメンツ降圧5 - 65 Vシングル440 kHz - 2.2 MHz
LM5140-Q1 米テキサス・インスツルメンツ降圧5 - 65 V デュアル 440 kHz - 2.2 MHz
dsPIC33CK32MP102米マイクロチップ・テクノロジー降圧または昇圧（ドライバ外付け）100 MHzのシングル・コア、16ビットDSC最大100 MHz（コア）
NCP8111米オン・セミコンダクター降圧（ドライバ外付け）3相、VR12.5-6、デジタル・コントローラ、SVIDおよびI2Cインタフェース250 kHz − 5 MHz
LTC7800米アナログ・デバイセズ降圧5 - 60 Vシングル、低IQ、GaN320 kHz - 2.25 MHz
MIC2103/4 米マイクロチップ・テクノロジー降圧5 - 75 V 適応型オンタイム制御 200 kHz - 600 kHz
ISL8117Aルネサスエレクトロニクス降圧5 - 60 Vシングル100 kHz - 2 MHz
TPS40400 米テキサス・インスツルメンツ降圧5 - 20 V 30 A, PMBus 200 kHz - 2 MHz
TPS53632G 米テキサス・インスツルメンツハーフブリッジ（ドライバ外付け） ハーフブリッジ、D-CAP+コントローラ、48 VのGaN DC/DCに最適化、I2C 300 kHz - 1 MHz

同期整流器向けコントローラ

型番 メーカー 概要 ゲート・ドライバ
UCD7138 米テキサス・インスツルメンツ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1993TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
TEA1995T オランダNXPセミコンダクターズ社 デュアル同期整流器用コントローラ 内蔵（デュアル）
TEA1998TS オランダNXPセミコンダクターズ社 同期整流器用コントローラ 内蔵
NCP4305A 米オン・セミコンダクター社 2次側同期整流コントローラ 内蔵
NCP4306xB米オン・セミコンダクター社同期整流器用コントローラ内蔵
NCP4308A米オン・セミコンダクター社同期整流器用コントローラ内蔵

ローサイド・ゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
1EDB7275F 独インフィニオン・テクノロジーズ 絶縁型、シングル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、3 kV ---
UCC27611 米テキサス・インスツルメンツ社 4 A/6 A、高速5 V駆動の最適化された単一ゲート・ドライバ EPC9081
LMG1020米テキサス・インスツルメンツ社5 V、7 A / 5 Aで速度60 MHz / 1nsローサイドGaNドライバEPC9144
uP1964台湾のuPI Semiconductor社エンハンスメント・モードGaNトランジスタ向け単一チャネルのゲート・ドライバ---
IXD_604米IXYS社4 Aでデュアルのローサイド超高速ドライバ---
LMG1025-Q1米テキサス・インスツルメンツ社狭パルス用途向けの5 Vの UVLO付き車載用7-A / 5-Aシングル・チャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ---
ADuM4120ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 A出力の単一チャネル絶縁型ドライバ ---
ADuM4121ARIZ 米アナログ・デバイセズ社 2 Aの単一チャネル絶縁型ドライバ ---

ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

型番 メーカー 概要 応用例
LT8418 米アナログ・デバイセズ スマート統合ブートストラップ・スイッチを備えた100 VのハーフブリッジGaNドライバ EVAL-LT8418-BZ
1EDN71x6U インフィニオン 200 V、チップ・セット、4つのゲート駆動電流版 ---
2EDB7259Y インフィニオン 絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A 、3 kV ---
2EDR7259X インフィニオン 絶縁型、デュアル、吐き出し5 A/吸い込み9 A、5.7 kV ---
NCP51810 米オン・セミコンダクター社 GaNパワー・スイッチ向け150 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
NCP51820 米オン・セミコンダクター社 -3.5〜+650 V、調整可能なデッドタイム、デュアルLDO EPCに問い合わせ
LM5113-Q1米テキサス・インスツルメンツ社5 A、100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバEPC9078
LMG1205米テキサス・インスツルメンツ社1.2 A, 5 A, 100 VのeGaN FET用ハーフブリッジ・ドライバEPC9078
uP1966E 台湾のuPI Semiconductor社 80 V eGaN FET用デュアル・チャネル・ゲート・ドライバ EPC9078
LMG1210米テキサス・インスツルメンツ社200 V、1.5 A / 3Aでデッドタイム調整機能を備えたハーフブリッジGaNドライバEPCに問い合わせ
Si827xGB-IM米スカイワークス・ソリューションズ絶縁型、自動車用、最大2.5 kVの絶縁、4A。プログラム可能なデッドタイム。
「GB」と「IM」の接尾辞を使います。		EPC9084
ADuM4221A 米アナログ・デバイセズ社 調整可能なデッドタイム、4 A出力を備えた絶縁型ハーフブリッジ・ドライバ ---
MPQ1918-AEC1 米Monolithic Power Systems 100 V、1.6 A、5 A、ハーフブリッジGaNドライバ、AEC-Q100認定 EPCに問い合わせ
MP8699B 米Monolithic Power Systems GaNパワー・スイッチ向け100 Vのハーフブリッジ・ゲート・ドライバ EPCに問い合わせ
STDRIVEG600 STマイクロエレクトロニクス 600 Vのハーフブリッジ、ローサイド検出抵抗のグラウンド・オフセットが可能 EPC9167

高信頼性用途向けIC

型番 メーカー 概要 機能
FBS-GAM01P-C-PSEEPC Space単一出力のeGaNゲート・ドライバ・モジュールゲート・ドライバ
FBS-GAM02P-C-PSEEPC Space50 Vの耐放射線特性を強化した高速多機能Power eGaN® HEMTドライブHEMTドライバ
FBS-GAM02-P-R50EPC Space50 V / 10 Aの耐放射線特性を強化した多機能パワー・モジュールパワー段
ISL70040SEHルネサスエレクトロニクス 耐放射線特性を強化したローサイドGaN FETドライバゲート・ドライバ
TPS7H6003-SP米テキサス・インスツルメンツ社耐放射線特性、QMLV、200V、ハーフブリッジ GaN ゲート ドライバゲート・ドライバ