EPC2302：100 V、408 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 1.8 mΩ
ID, 101 A
パルス ID, 408 A

EPC2302 Enhancement Mode GaN Power Transistor
パッケージ・サイズ:3 mm x 5 mm

アプリケーション

  • 最高80 V入力の高周波DC-DCコンバータ
  • 24 V～60 Vのモーター駆動
  • 40～60 V入力、5～12 V出力の高電力密度DC-DCモジュール
  • AC / DC充電器
  • ソーラーMPPT（最大電力点追跡）

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
  • 露出した表面（Rthjc＝0.2℃/W）と濡れやすい側面を備えた熱的に強化されたパッケージ
ステータス:推奨
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EPC90133 100 V、40 Aのハーフブリッジ評価 ¥20,541
EPC90142 100 V、65 Aのハーフブリッジ評価 ¥20,743
EPC9165 2 kW、48 V / 14Vの双方向評価基板 ¥61,220
EPC9170 2 kW、48 V / 14Vの双方向評価基板 ¥61,220

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