EPC23101：100 V、65 AのePower™チップ・セット

EPC2302とペアで、最高65 Aのパワー段を形成します
統合されたハーフブリッジ・ドライバ、
ブートストラップ、ハイサイドFET
パワー段の負荷電流（1 MHz）、65 A
最大入力電圧、100 V

EPC23101 GaN PowerIC

特徴

  • ゲート・ドライバを備えた統合ハイサイドeGaN® FET
  • ハイサイドFETのオン抵抗DSon、3.3 mΩ
  • 外付けのローサイドeGaN FETを駆動するためのゲート・ドライバ出力
  • 5 Vの外部バイアス電源
  • ハイサイドとローサイドの独立した制御入力
  • 3.3 Vまたは5 VのCMOS入力論理レベル
  • 高いスイッチング周波数、最高3 MHz
  • ハード・スイッチングおよびソフト・スイッチングの条件で動作する丈夫なレベル・シフト回路
  • 高速スイッチング遷移時の誤ったトリガー耐性
  • ハイサイドのブートストラップ電源の同期充電
  • 内蔵ハイサイド・バイアス電源のUVLO（低電圧ロックアウト）
  • 2つのデバイス間のピン配置が最適化されたQFNパッケージ封止の互換性のあるハイサイド・デバイスとローサイド・デバイスのチップ・セット（EPC2302を参照）
  • 露出した表面（Rthjc＝0.4℃/W）と濡れやすい側面を備えた熱的に強化されたパッケージ

アプリケーション

  • 高周波DC-DCコンバータ
    • バック、ブースト、ハーフブリッジ、フルブリッジ、LLCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
    • 単相および3相のモーター駆動用インバータ
ステータス:廃止
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