新しいeGaN®パワー・トランジスタは、成熟した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能で、より広いピッチのチップスケール・パッケージに収めたEPCのパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。
オン抵抗が同等の最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、これらの製品は、非常に小型で、何倍も優れたスイッチング特性を備えています。高い周波数のDC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC-DCコンバータの同期整流、モーター駆動、D級オーディオなどの用途に最適です。