GAL08EPCの開発基板をプロトタイプに変える方法

このビデオでは、標準的なEPCのハーフブリッジ開発基板をプロトタイプ・システムに変える方法を示します。EPCのeGaN FETを簡単に使えるようにするために、シリコン・パワーMOSFETとほぼ同じように振る舞うデバイスを開発しました。EPCのハーフブリッジ開発基板は、既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、最適なスイッチング特性を得るためのすべての重要な部品を最適にレイアウトしているのでeGaN FETの評価プロセスを単純化できます。

 

GaNの上級学習シリーズの次のモジュール:GAL09GaNは、どこに行くのか?