この短いビデオで、EPCのAlex Lidowは、GaN FETがLidarの分解能を数インチにまで高めることができる回路を構成できる理由を説明しています。同じ機能を実行する従来のシリコンFETは、わずか数フィートまでしか分解能を高めることができません。この秘密は、GaN FETによって可能になった超高速の立ち上がり／降下時間にあります。