GaN FET対MOSFET:150 V入力、12 V出力のDC-DC変換

EPCは、シリコンMOSFETのパワー素子に再度、大きな打撃を与え、面積とコストを削減すると同時に性能を向上させました。このビデオでは、同等のMOSFETに比べて、電力損失を40%低減し、電力密度を3倍にし、実装面積を1/15に小型化した200 VのGaN FETとの比較を列挙しています。