破壊的な技術の採用率を支配する重要な変数の1つは、その製品が、あるアプリケーションで使うために十分な信頼性を備えているかどうか、であることを、シリコン・パワーMOSFETの30年の開発の歴史が教えてくれました。この原理が、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム・デバイスの設計を導いてきました。EPCは、この技術が商用利用のための準備ができていることを信頼性試験で実証しています。このビデオでは、信頼性試験の実施と達成された結果を説明しています。
GaNの上級学習シリーズの次のモジュール：GAL04GaN搭載の500 WのDC-DC：1/8ブリック・サイズの1/4ブリック電源