汽車中先進駕駛輔助系統(ADAS)的進步依賴於各種傳感器。長距離視覺傳感器對於自適應巡航控制和未來的自動駕駛汽車控制至關重要。短距離視覺傳感器用於避免碰撞、倒車輔助、停車輔助等。
隨著自動駕駛汽車的進步,飛行時間(ToF)/激光雷達系統成為實現完全自主駕駛的最具成本效益和最安全的手段。氮化鎵場效應晶體管(GaN FETs)和集成電路(ICs)在自動駕駛汽車的激光雷達電路中起著關鍵作用,在驅動各種激光器類型(如VCSEL和邊緣發射(EEL))時提供了諸多優勢。
氮化鎵(GaN)技術在激光雷達電路中的主要優勢包括:
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半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。
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