USB PD快充
基於氮化鎵元件的USB PD快速充電器可以比傳統矽基充電器小40%和充電速度快2.5 倍。氮化鎵元件的熱效率也更高,這意味著熱耗更少,而更多的能量流向了正在充電的元件。
氮化鎵元件實現小型化、超高效和卓越的熱性能。
AC/DC電源、適配器、充電器
與矽基設計相比,氮化鎵元件由於具有較低的開關損耗,因此可實現更高的開關頻率和更高的功率密度。 這允許使用較小的無源元件,從而實現更緊凑和更輕的設計。
與矽元件相比,GaN FET和IC儘管尺寸很小,它具有更好的熱性能,這意味可實現更高的效率和散熱效率更高,從而使適配器不高溫和免受因熱力而損壞。
我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。
半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。
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