採用氮化鎵技術的電源供電設計人員能够在尺寸、重量、效率、EMI和功率密度方面優化設計。更快的開關和更少的寄生效應等同於降低功耗,從而使工程師能够提高開關頻率、縮小磁性元件的尺寸和使它更輕、減少散熱或不用散熱器,以及減少銅損耗。這些優勢在不犧牲效率的情況下縮小整個系統的尺寸和更輕。基於氮化鎵元件的電源供電以更高的頻率、效率和功率密度運行,適用於微型、近地軌道 (LEO)、GEO衛星、深空和外太空探索、採用更小和更輕的板載電源的機器人,以及其他高可靠性宇航和國防系統。
元件的電壓範圍爲15 V–350 V,可滿足各種匯流排電壓和降壓要求。
我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。
半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。
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