隨著對雲計算、人工智慧、機器學習和遊戲等高密度計算應用的需求急劇增加,數據中心的電能消耗可能很快占世界電力生產的8%。這種消耗的很大一部分是由低效電力輸送架構的損耗引起的氮化鎵(GaN)FETs和積體電路(ICs)具有更小的占地面積、更高的開關頻率和更高的效率,能夠實現更高的功率密度和更低的數據中心總擁有成本(TCO)。
對資料中心應用有提問?
用於數據中心的48V電源分配比12V系統更高效,允許更高的功率密度、改進的可靠性、簡化的功率傳輸和減少冷卻要求。
AC/DC轉換器必須設計為以高效、可靠和緊湊的尺寸運行,以滿足數據中心的苛刻要求。
EPC不斷增長的晶片規模和PQFN封裝FET和IC產品組合為工程師提供了最大的設計靈活性、更高的效率和更高的功率密度,以改善整個數據中心的性能和成本。
EPC的氮化鎵(GaN)技術已經在數據中心的48V電源系統中累積了數十億小時的成功現場經驗。氮化鎵(GaN)FETs具有高度的耐用性,這在正常運行時間和可靠性至關重要的數據中心中尤為重要。
EPC提供了一套全面的設計工具和參考設計,這些工具和參考設計針對數據中心應用中使用的最常見拓撲進行了優化,包括降壓轉換器、升壓轉換器、降壓-升壓轉換器和全橋轉換器。這些現成的設計旨在幫助工程師減少上市時間和開發成本。
GaN Power Bench爲你提供交互參照搜尋、設計工具、模型和性能模擬,以協助你的設計。取得宜普電源轉換公司(EPC)持續擴充的GaN FET和IC產品組合