交流/直流電源供電
與基於矽元件的設計相比,由於採用氮化鎵元件的設計具有較低開關損耗,因此可實現更高的開關頻率和更高的功率密度。這允許使用較小型化的無源元件,從而提供更緊凑和更輕的設計。
與矽元件相比,儘管GaN FET和IC很小型化,但它具有更好的熱性能。
我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求,請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。
半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。
GaN Power Bench爲你提供交互參照搜尋、設計工具、模型和性能模擬,以協助你的設計。取得宜普電源轉換公司(EPC)持續擴充的GaN FET和IC產品組合
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