用於通信應用的氮化鎵元件

交流/直流電源轉換

氮化鎵元件提高效率、縮小尺寸、熱性能更好

交流/直流電源供電

與基於矽元件的設計相比，由於採用氮化鎵元件的設計具有較低開關損耗，因此可實現更高的開關頻率和更高的功率密度。這允許使用較小型化的無源元件，從而提供更緊凑和更輕的設計。

與矽元件相比，儘管GaN FET和IC很小型化，但它具有更好的熱性能。

GaN AC/DC Communications

參考設計

用於通信交流/直流電源轉換的參考設計

產品型號 描述 VIN VOUT lOUT
(A)		 FSW
(kHz)		 氮化鎵器件型號  
PMP20978 開發板
 PMP20978 具有高电压 GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计 390 V 48 V 21 A EPC2033 Contact TI

我們的應用團隊不斷致力於推出新的參考設計。如果網頁上列出的所有電路板未能滿足您的要求，請向氮化鎵專家提問和與我們聯繫以進一步討論您的應用。

半橋開發板可用於快速評估大多數 eGaN FET 和 IC。

產品

用於通信交流/直流電源轉換的推薦氮化鎵元件

產品型號 狀況 配置 VDS
最大值		 VGS
最大值		 最大值
RDS(on)
(mΩ)
@5VGS		 QG
典型值
(nC)		 QGS
典型值
(nC)		 QGD
典型值
(nC)		 QOSS
典型值
(nC)		 ID (A) 脈衝電流 ID
(A)		 封裝
(mm)
EPC2371 Engr 單路 25 6 17 5 2 18 88 412 QFN 3.3 x 2.6 尋找授權經銷商
EPC2378 Engr 單路 25 6 0.5 34 10.4 1.6 26 101 699 QFNb 3.3 x 3.3 尋找授權經銷商
EPC2306 Preferred 單路 100 6 3.1 12.3 4.3 1.1 44 63 197 QFN 3 x 5 尋找授權經銷商
EPC2302 Preferred 單路 100 6 1.8 23 8.9 2.3 85 133 408 QFN 3 x 5 尋找授權經銷商
EPC2367 Preferred 單路 100 6 1.5 17 5.3 2.4 54 101 420 QFN 3.3 x 3.3 尋找授權經銷商
EPC2361 Preferred 單路 100 6 1 28 8.5 3.8 90 133 697 QFN 3 x 5 尋找授權經銷商
EPC2305 Preferred 單路 150 6 3 22 6.6 2.1 103 133 329 QFN 3 x 5 尋找授權經銷商
EPC2307 Preferred 單路 200 6 10 10.1 3.5 1.2 58 63 130 QFN 3 x 5 尋找授權經銷商
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