什么是氮化镓（GaN）？

氮化鎵（GaN）是一種用來製造半導體功率元件的材料,也可以用來製造射頻元件和發光二極體（LED）。 氮化鎵技術展示出它可以在功率轉換、射頻及模擬應用中替代矽基半導體。

矽基電晶體及電子時代的來臨

矽材料很快便成為製造半導體電晶體的首選材料。這不獨是因為它本質上具備卓越的電氣特性，其生產成本也較真空管為低。此後，於70及80年代，矽基電晶體及隨後的積體電路均發展迅猛。摩爾定律的規律是電晶體的性能大約於18個月之間得以翻倍，而同時其製造成本也會降低，驅使行業得以推出具備更高性能及更低成本的全新產品，從而深受客戶歡迎。在功率轉換中，矽基功率MOSFET元件實踐了這個定律而成為矽基電晶體得以蓬勃發展的主要因素。

就像真空管技術一樣，矽基功率MOSFET一直以來的發展 – 實現更高的性能及更低的價格 - 已經到了極限。幸運的是，市場一直要求具有極快速的開關、沒有電阻、更低的成本等優勢的理想開關，而且可製造高性能功率轉換電晶體及積體電路的全新材料也推陳而出新。

氮化鎵半導體的快速發展

把電子性能提升至另一個更高的水準及使得摩爾定律復活的領先侯選原材料，就是氮化鎵材料。目前已經被證實，與矽基元件相比，氮化鎵器件傳導電子的效率可以高出1000倍，而同時比矽基元件的製造成本較低。矽基元件的技術發展已經到了極限，而一種新興並具備較高性能的半導體材料正在冒起 - 氮化鎵材料。

幸運的是，製造氮化鎵元件的成本比製造MOSFET元件的成本為低，這是由於我們在目前用來製造傳統矽基半導體的相同工廠中，採用製造矽元件的標準步驟來製造氮化鎵元件，從而使得具有相同性能的氮化鎵元件的體積可以細小很多。由於每個氮化鎵元件都比矽基元件細小很多，因此每塊晶圓可以產出更多的氮化鎵元件，這樣，與等效矽基元件相比，製造氮化鎵元件的成本就總是更低。當氮化鎵技術繼續得以提升時，它與矽基元件的成本差距，將進一步擴大。

氮化鎵時代正在不斷邁步向前

氮化鎵材料推動具備更高性能的電晶體及積體電路的出現，目前是勇於創新的功率設計工程師的最佳時機，於他們的設計中，發揮氮化鎵元件的各種優勢，包括：

• 更低的導通電阻，從而實現更低的傳導損耗
• 更快速開關的元件可以實現更低的開關損耗
• 更小的電容在對元件進行充電及放電時，可實現更低的損耗
• 需要更少的功率來驅動電路
• 更細小的元件可以減小解決方案於印刷電路板上的佔板面積
• 更低的成本

使用互動式產品參數和選型工具，可為您的功率轉換系統，找出最理想的、基於氮化鎵元件的解決方案。