集成氮化鎵功率器件 –
提高效率及功率密度

集成氮化鎵功率器件 – 提高效率及功率密度
EPC9036: 12 V 轉1.2 V開發板 在25 A、500 kHz頻率可實現90% 系統效率

已作商業用途的增强型單片式幷採用半橋拓撲的氮化鎵電晶體在效率方面進一步拋離傳統的矽器件。單片式半橋器件可節省板面面積、改善效率及降低系統成本。

  • 提高效率
    單片式幷使用半橋拓撲的器件去除互連電感，從而實現更高效率，尤其是器件工作在高頻條件下
  • 節省板面面積
    單片式器件可節省印刷電路板上功率級所佔的面積達60%
  • 簡化採用氮化鎵器件
    單片式器件提高製造效率而同時降低組裝成本

Monolithic GaN Schematic

數據表

Asymmetrical Half-Bridge Devices for High Step-Down Applications

器件型號 電壓 RDS(on)最大值 (mΩ) (VGS = 5 V) Max. Peak Pulsed ID (A)
(25°C, Tpulse = 300 µs)		 開發板
    Q1 Control
FET		 Q2 Sync
FET		 Q1 Control
FET 		Q2 Sync
FET		  
EPC2111 30 19 8 50 140 N/A
EPC2100 30 8.2 2.1 100 400 EPC9036
EPC2101 60 11.5 2.8 80 350 EPC9037
EPC2105 80 14.5 3.6 70 300 EPC9041

Symmetrical Half-Bridge Devices for 50% Duty Cycle or Low Step-Down Applications

器件型號 電壓 RDS(on)最大值 (mΩ) (VGS = 5 V) Max. Peak Pulsed ID (A)
(25°C, Tpulse = 300 µs)		 開發板
EPC2102 60 4.9 220 EPC9038
EPC2103 80 5.5 195 EPC9039
EPC2104 100 6.8 180 EPC9040

應用筆記

集成氮化鎵功率器件可實現更高直流-直流效率及功率密度

相關視頻