氮化鎵（eGaN®）功率電晶體繼續在電源轉換性能方面提高業界基準。第四代氮化鎵器件的電壓範圍爲30 V至200 V，在性能上遠遠拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。新一代器件具有更低導通電阻、更低電容、更大電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
- 更低導通電阻(RDS(on))
由於全新氮化鎵場效應電晶體系列可降低一半導通電阻，因此可支持大電流、高功率密度的應用。
- 進一步改善品質因數（FOM）
與前代器件相比，由於新一代氮化鎵場效應電晶體把硬開關FOM降低一半，因此在高頻功率轉換應用可進一步提高開關性能。
- 擴展電壓範圍
由於可受惠于采用氮化鎵場效應電晶體的應用擴展至30 V的應用，因此可推動更多應用包括更高功率的直流-直流轉換器、負載點轉換器、支持隔離型電源供電的同步整流器、電腦及伺服器。