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向GaN技術專家提問
EPC2001C:增强型功率電晶體
V
DS
, 100 V
R
DS(on)
, 7 mΩ
I
D
, 36 A
脉衝 I
D
, 150 A
符合RoHS 6/6、無鹵素
晶片尺寸: 4.1 mm x 1.6 mm
應用
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隔離式DC/DC轉換器
無刷DC馬達控制器
面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
高頻硬開關及軟開關技術
D類音頻放大器
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
已提供新型元件(NDO)
面向新設計,EPC 氮化鎵專家推薦
EPC2204
NDO(已提供新型元件):這是前代元件,雖然您仍然可以採用,但請使用我們推薦的新型元件 - 它的價格更好和在大多數應用中性能更高。
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應用筆記
Getting the Most Out of eGaN FETs and Your EPC9126 Laser Driver
如何構建一個可以看得更遠、更清晰、成本更低的超快速及高功率雷射驅動器!
組裝eGaN
®
FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
使用eGaN
®
FET
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TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
Altium 庫 (.zip)
熱模型
STEP
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PCN210601 - 生產地變更 – 通過Raytek認證的商用元件的PbF晶圓凸塊製程
PCN210601 - 生產地變更 – 通過Raytek認證的商用元件的PbF晶圓凸塊製程
PCN200801 - 生產地變更 - 在Ardentec裝配後端卷帶
PCN200601 - 使用替代製造地點-晶圓針測
PCN180901 – 使用替代製造地點-組裝後端編帶和捲軸封裝(TR)
PCN170401 –製造廠產地變更-組裝後端編帶和捲軸封裝(TR)
PCN170304 - 更改製造地點 - 組裝
PCN160301 - 材料和製程變更
PCN240501 - 替代基板供應商