EPC2021：增强型功率電晶體

VDS, 80 V
RDS(on), 2.2 mΩ
ID, 90 A
Pulsed ID, 390 A
TJ150°C
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2021 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 隔離式DC/DC轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • 面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流
  • 工業自動化
  • 浪涌保護裝置
  • D類音訊放大器

優勢

  • 更高開關頻率 – 更低開關損耗、更低功率驅動器
  • 更高效 – 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 更細小尺寸 - 更高功率密度
  • 更低導通電阻RDS(on) - 工作在更高電流
產品狀況:已提供新型元件（NDO)
面向新設計，EPC 氮化鎵專家推薦EPC2302NDO(已提供新型元件)：這是前代元件，雖然您仍然可以採用，但請使用我們推薦的新型元件 - 它的價格更好和在大多數應用中性能更高。
尋找授權經銷商
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎？
向GaN技術專家請教

您可能對其
他產品感興趣

數據表

演示板/開發板

產品品質及可靠性

設計資源

應用筆記

設計範例

器件模型

相關視頻

第四代 eGaN® FET

更改產品規格通告

向EPC代表提問