EPC2038：增强型功率電晶體

VDS, 100 V
Internal Gate Diode
RDS(on), 3300 mΩ
ID, 0.5 A
脉衝 ID, 0.5 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2038 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 0.9 mm x 0.9 mm

應用

  • 高速直流-直流轉換
  • 無線電源傳送
  • 光學遙感技術/脉衝式功率應用

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
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