VDS, 350 V RDS(on), 80 mΩ ID, 6.3 A 脉衝 ID, 26 A 符合RoHS 6/6、無鹵素
對EPC公司的eGaN FET及集成电路有任何問题嗎?向GaN技術專家請教
挑選適合您的設計的低成本評估板,開展您的創新旅程: