EPC2066：40 V、639 A 增强型氮化鎵功率電晶體

VDS, 40 V
RDS(on), 1.1 mΩ
ID, 90 A
脉衝 ID, 639 A

EPC2066 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

應用

  • High density DC-DC conversion
  • BLDCモーター駆動
  • 工業自動化
  • 負載點（POL）轉換器
  • 同步整流器
  • 浪涌保護裝置

優勢

  • 超高效率
  • 高開關頻率
  • Very low RDS(on), QG, QGD, QOSS and zero reverse recovery (QRR)
  • 尺寸更小型化
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