EPC2067：40 V、409 A 增强型氮化鎵功率電晶體

VDS, 40 V
RDS(on), 1.55 mΩ
ID, 69 A
脉衝 ID, 409 A

EPC2067 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 2.85 mm x 3.25 mm

應用

  • 高頻DC/DC轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • 面向AC/DC及DC/DC應用的同步整流

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
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