EPC2106：100 V、18 A增强型氮化鎵功率電晶體

VDS, 100 V
RDS(on), 70 mΩ
ID, 1.7 A
脉衝 ID, 18 A
符合RoHS 6/6、無鹵素

EPC2106 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 1.35 mm x 1.35 mm

應用

  • DC/DC 轉換器
  • 無刷DC馬達控制器
  • D類音訊放大器
  • 發光二極體照明
  • 馬達驅動器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低的開關損耗、更低的寄生電感及更低的驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 更高的功率密度、具備低電感的封裝
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