與EPC2302配成輸出電流可高達65 A的功率級
整合了半橋驅動器、自舉電路和
高側FET
功率級負載電流爲1 MHz、輸出電流爲65 A
最大輸入電壓爲100 V
特點
- 帶有內部閘極驅動器的整合式高側eGaN® FET
- 高側FET RDS（on）爲3.3 mΩ
- 閘極驅動器輸出用於驅動外部低側eGaN FET
- 5 V外部偏置電源
- 獨立的高側和低側控制輸入
- 3.3 V或5 V CMOS輸入邏輯電平
- 高開關頻率，可高達3 MHz
- 穩固的電平轉換器可在硬開關和軟開關條件下運行
- 對快速開關瞬態的誤觸發免疫
- 高側自舉電源的同步充電
- 內部高側偏置電源的欠壓鎖定
- 採用QFN封裝、兼容高側和低側元件的晶片組，兩個元件之間有優化的引脚佈局（請參看EPC2302）。
- Thermally enhanced package with exposed top (Rthjc = 0.4 degC/W) & wettable flank
產品狀況:工程產品
在購買元件時，產品型號尾碼ENG*代表該元件仍然處於"工程狀態"，不適宜進行可靠性應力測試或其他的認證測試。在進行該些測試之前，請聯繫您的所屬區域的EPC公司FAE及查詢該元件的最新狀態。