EPC23102: 100 V、35 A 的ePower™ 晶片組

Integrated high side and low side eGaN® FETs with internal gate driver and level shifter
功率級負載電流爲1 MHz、輸出電流爲35 A
最大輸入電壓爲100 V

EPC23102 GaN PowerIC
封裝尺寸:3.5 mm x 5 mm

特點

  • 5 V外部偏置電源
  • 獨立的高側和低側控制輸入
  • 3.3 V或5 V CMOS輸入邏輯電平
  • Logic lockout commands both FETs off when inputs are both high at same time
  • External resistors to tune SW switching times and over-voltage spikes above rail and below ground
  • 穩固的電平轉換器可在硬開關和軟開關條件下運行
  • 對快速開關瞬態的誤觸發免疫
  • 高側自舉電源的同步充電
  • Disable input engages low quiescent current mode from VDRV supply
  • Power on reset for low side VDD supply
  • Undervoltage lockout for high side VBOOT supply
  • Active gate pull-down for HS FET and LS FET with loss of VDRV supply
  • Thermally enhanced QFN package with exposed top for low thermal resistance from junction to top-side heatsink

應用

  • Buck, Boost, Buck-Boost Converters
  • Half-Bridge, Full Bridge LLC Converters
  • Motor Drive Inverter
  • Class D Audio Amplifier
產品狀況:工程產品
在購買元件時,產品型號尾碼ENG*代表該元件仍然處於"工程狀態",不適宜進行可靠性應力測試或其他的認證測試。在進行該些測試之前,請聯繫您的所屬區域的EPC公司FAE及查詢該元件的最新狀態。
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