EPC2379: 18 V, 101 A, 0.33 mΩ GaN Power Transistor

VDS, 18 V
典型 RDS(on), 0.33 mΩ
ID, 101 A
脈衝 ID, 783 A

EPC2379 增強型 GaN 功率電晶體
封裝尺寸：3.3 mm x 3.3 mm

應用

  • 高速 DC-DC 轉換
  • 同步整流
  • 伺服器
  • 人工智慧

優勢

  • 超低 QG
  • 超低導通電阻 RDS(on)
  • 邏輯電平
  • 重量輕
  • 帶背面散熱焊盤的 PQFN 封裝
狀態：工程狀態
工程元件在購買時帶有 ENG* 後綴，屬於工程狀態；在未聯絡您當地的現場應用工程師以取得最新狀態之前，不應將其用於可靠性應力測試或其他認證測試。
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