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向GaN技術專家提問
EPC8009:增强型功率電晶體
快速開關正在加速
V
DS
, 65 V
R
DS(on)
, 130 mΩ
I
D
, 4 A
脉衝 I
D
, 7.5 A
符合RoHS 6/6、無鹵素
晶片尺寸: 2.05 mm x 0.85 mm
應用
DC/DC 轉換器
RF Envelope Tracking
Wireless Power Transfer
Game console and industrial movement sensing (LiDAR)
優勢
開關頻率更快
– 更低開關損耗及更低驅動功率
效率更高
- 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
占板面積更小
– 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:
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對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
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向GaN技術專家請教
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EPC8009 數據表
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EPC9067
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REACH声明
关于打击假冒产品声明
关于冲突矿物声明
材料聲明
設計資源
應用筆記
組裝eGaN
®
FET
速查指南 - 把eGaN FET焊接在電路板上的步驟
速查指南 - 從電路板移除eGaN FET的步驟
設計範例
TIDA-01634
器件模型
PSPICE (.net)
TSPICE (.sp)
LTSPICE (.zip)
Spectre 模型 (.scs)
熱模型
S-Parameter
STEP
設計工具
用於降壓轉換器的GaN FET選型工具
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GaN First Time Right™ 設計流程
氮化鎵場效應電晶體的熱量計算器
GaN Talk支持論壇
Altium 庫 (.zip)
KiCad 庫 (.zip)
KiCad 庫安裝說明
更改產品規格通告
PCN210601 - 生產地變更 – 通過Raytek認證的商用元件的PbF晶圓凸塊製程
PCN200801 - 生產地變更 - 在Ardentec裝配後端卷帶
PCN200601 - 使用替代製造地點- 晶圓針測
PCN180501 – 使用替代製造地點-組裝後端編帶和捲軸封裝(TR)
PCN170401 –製造廠產地變更-組裝後端編帶和捲軸封裝(TR)
PCN170304 - 更改製造地點 - 組裝
PCN240501 - 替代基板供應商
Product Bulletin
Introducing EPC8000 Family of eGaN FETs