EPC的最新一代技術把元件的尺寸縮小一半但提升其性能達3倍。更低的成本和更高的性能使得氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）和積體電路的發展進入“良性循環”（virtuous cycle）的軌度，在性能/成本上繼續擴大與等效、日益老化的矽基功率MOSFET的績效差距。
- 尺寸更小 -- 性能得以大大提升
與最先進的等效矽MOSFET相比，100 V 的eGaN FET 在RDS(on) 與晶片面積相乘的性能高出4倍。如果是比較200 V的元件，eGaN FET的性能可以高出16倍！
- 提升品質因數（FOM）
與矽基元件相比，在高頻功率轉換應用中，最新一代100 V eGaN FET的開關性能提升了4倍，而200 V eGaN FET的開關性能提升了8倍。
- 更優越的性能為應用帶來的好處
與最好的等效MOSFET相比，EPC2045工作在48 V–5 V電源轉換、500 kHz開關頻率時，功耗降低30%及效率提升了2.5%。
最新推出的100 V eGaN FET的其他應用包括於開放式伺服器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、雷射雷達（LiDAR））、USB-C、負載點（POL）轉換器、D類音頻放大器、LED照明及具備低電感的馬達驅動器等應用。
与硅基技术相比，GaN 技术在性能上实现质的飞跃
此外，最新推出的200 VeGaN FET的理想應用包括無線充電、多級AC/DC電源供電、同步整流(48 VOUT) 機械人應用及太陽能微型逆變器。