矽功率MOSFET器件的三十多年發展讓我們認識到最新科技可以普及的其中一個重要因素為該技術容易使用。這成為宜普公司設計其增強型氮化鎵電晶體的導向原則。宜普公司提供廣泛培訓材料，幫助客戶在設計中發揮氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）的最佳效能。我們將在此文庫定期增新文檔，旨在擴大氮化鎵技術的知識視野。
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