EPC的產品再一次擊敗矽基MOSFET功率元件,實現更高的性能而同時縮小元件的尺寸及降低成本。本影片展示出200 V的 GaN FET與等效MOSFET相比,GaN FET的性能更高、大大減小佔板面積(元件的尺寸縮小15倍)、功耗低出40%及提高功率密度達3倍。