對於動態測量，氮化鎵電晶體開關快，需要良好的測量技術和可以捕捉高速波形重要細節的良好技術。《AN023準確測量高速氮化鎵電晶體》應用筆記重點介紹如何採用客戶要求的測量設備和技術來準確評估高性能氮化鎵電晶體，尤其是建議使用專門用于此類測量的差分探頭，例如 Tektronix IsoVu、LeCroy DL-ISO和PMK Firefly探頭。
EPC9080的測量點
開關損耗測量很常見。 然而，氮化鎵元件體積小且開關快，因此添加探針會顯著影響測量。 為了捕捉可靠和高保真度的波形，重要的是使用適當的探測技術以及具有低輸入電容和短接地回路連接功能的探頭。
測量技術的影響和測量點的選擇
有關低壓GaN FET可重複、可靠的動態表徵的更多信息，請參閱《低壓、小尺寸的GaN FET 的準確表徵》文章。