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組裝晶片級氮化鎵場效應電晶體和積體電路

為確保eGaN元件的高可靠性和可以發揮其最大性能,必須遵循一些簡單的PCB設計和裝配準則。一般來說,元件的:

1.每個焊點都要有正確的PCB阻焊層(SMD)佔位面積,以確保在乾淨的PCB表面控制焊錫。

2.採用正確的焊錫量和回流焊工藝,以提供足够的高度清洗焊盤之間的阻焊劑,但焊錫不能過多,否則接點會在回流焊期間變得不穩定、傾斜或塌陷。

3.清洗焊盤之間的所有阻焊劑,然後在接通電源之前必須完全乾透。

4.可選擇使用底部填充,底部填充可顯著改善溫度循環性能,特別是對於較大型的元件來說。詳情請參閱《第15階段產品可靠性測試報告》第六部分。

Properly mounted eGaN device

圖 1:正確安裝的 eGaN 元件(側視圖)

有關組裝指南的詳細信息,請參閱《組裝eGaN FET和積體電路》。

有關QFN封裝的組裝信息,請聯繫宜普電源轉換公司。

可視化表徵

在開始新的生產流程時,通常進行目視檢查。為了簡化這個過程,《增强型氮化鎵場效應電晶體和積體電路目視表徵指南》詳細描述了宜普公司FET和IC的物理特性,包括所有元件在交付給客戶之前必須達到的目視標準。

更多技術資源

有關組裝指南的更多信息,請訪問我們的裝配技術資源網頁。

向氮化鎵專家提問

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參看更多GaN Talk支持論壇上討論的題目>>

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