在不實際使用的情況下模擬 GaN 元件的性能是設計過程中極為重要的一步。對於更詳細的電氣模擬，EPC利用基於物理和唯象函數的混合來實現緊湊的Spice模型，該模型具有可接受的模擬和收斂特性，包括電導率和閾值參數的溫度影響。 這些可以在EPC 元件模型網頁上找到，而使用EPC 元件模型進行電路模擬，則可深入瞭解這些模型。 支援的模型格式包括spice、P-Spice、Simplis/SIMetrix、Spectre 和T-Spice。

氮化鎵元件比它所取代的功率MOSFET小10至15 倍。然而，晶片級封裝可以從多側散熱，而PQFN封装則具有極高的散熱效率和不会犧牲電氣性能。當確定了功耗後，GaN FET熱計算器可以優化散熱解決方案。