IDT與EPC公司携手合作結合氮化鎵與矽技術以開發出更快速及高效的半導體元件 Posted 2015年5月22日 Graphic: Business Wire Integrated Device Technology, Inc. ((IDT®) (美國納斯達克上市代號: IDTI)宣佈與宜普電源轉換公司（EPC）合作開發基於氮化鎵（GaN）技術的全新方案。氮化鎵被公認爲在速度及效率方面極具優勢的一種半導體材料。這合作謀求探索結合兩家公司的技術——EPC的eGaN®技術及IDT領先業界的解决方案。 閱讀新聞稿全文 相關的熱門文章 宜普發聲明稱其氮化鎵功率元件供貨不受影響 Efficient Power Conversion Sues Competitor Innoscience at ITC to Protect Patents in Emerging GaN Technology Efficient Power Conversion (EPC) Strengthens European Sales Team EPC Partners with Solace Power to Incorporate Highly Efficient, Low Cost eGaN FETs for Its Upcoming 250-Watt Wireless Power Platforms Efficient Power Conversion (EPC) to Sponsor Inaugural ‘GaN Con’ with Yole Développement (Yole) and SEMI Covering the Entire Power GaN Industry from Manufacturers to End Users
