Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驅動器亮相 Posted 2016年7月12日 基於氮化鎵材料的場效應電晶體正在顛覆功率轉換市場和替代矽基MOSFET。 與MOSFET相比，更快速的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）可以在最細小的體積內實現更高的開關速度。 氮化鎵元件的承諾是可以大大縮減電源供應器的體積及重量。為了實現最高的潛在性能， 這些具備高性能的氮化鎵電晶體需要最優化的閘極驅動器。 Peregrine Semiconductor 2016年7月12日 閱讀全文 相關的熱門文章 Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications Performance Benefits of Using Next-Gen Monolithic Integrated GaN Half-Bridge Power Stages in DC-to-DC and BLDC Motor Drive Applications GaN’s Evolution from Science Project to Mainstream Power Conductor Packaged GaN FETs Offers Footprint Compatible Solutions to Optimize Performance vs. Cost 從氮化鎵元件的行為確定其性能的模型