採用晶片級封裝的氮化鎵（GaN）電晶體改善系統的熱性能 Posted 2016年10月31日 隨著功率轉換器需要更高的功率密度，電晶體必須配合不斷在縮減的電路板面積。氮 化鎵（GaN）功率電晶體除了可以提高電源效率外，它們也必須具備更高的熱效率。在 這篇文章中，我們探討採用晶片級封裝的增強型氮化鎵場效應電晶體（eGaN ®FET） 的熱性能，並與最先進的Si MOSFET比較兩種元件的電氣性能和熱性能。 Bodo's China 2016年10月 閱讀全文 相關的熱門文章 Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors 採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模 高電子移動率晶體管（HEMT）封裝改善了在太空電力應用中的器件並聯性能 Power Packaging for the GaN Generation of Power Conversion Better thermal management of eGaN FETs