宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化鎵功率電晶體（EPC2049），應用於負載點（POL）轉換器、雷射雷達（LiDAR）及具低電感的馬達驅動器。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2049功率電晶體，應用於負載點（POL）轉換器、雷射雷達（LiDAR）、波峰追蹤電源、D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。
與採用塑膠封裝的MOSFET相比，採用晶片級封裝的EPC2049氮化鎵場效應電晶體的散熱性能好很多，這是由於使用晶片級封裝的氮化鎵元件可以直接把熱量散出至環境，而MOSFET晶片的熱量則聚集在塑膠封裝內。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米（3.75平方毫米）。 設計師不需要選擇設計更小型化還是性能更高的產品，而是二者可以同時兼得！
EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow稱：「EPC2049展示出EPC公司及其氮化鎵電晶體技術如何提升eGaN®元件的性能之同時能夠降價。EPC2049進一步印證了eGaN與MOSFET技術在性能及成本方面的績效差距正在繼續擴大。」
價格及供貨
eGaN FET EPC2049在批量為1,000片時的單價為2.19美元，可以立即從Digikey公司購買，網址為http://www.digikey.tw/zh/supplier-centers/e/epc?WT.z_cid=sp_917_supplier。
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括 直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 三維成像與雷射雷達（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列，爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
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