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40 V 耐輻射 GaN FET 設定了苛刻的太空應用新性能標準

40 V 耐輻射 GaN FET 設定了苛刻的太空應用新性能標準

Efficient Power Conversion (EPC) 擴展其輻射硬化 (rad-hard) 氮化鎵 (GaN) 產品系列,推出兩款新的 40 V 裝置,分別額定為 62 A 和 250 A,以應對關鍵的太空和其他高可靠性應用。

加州埃爾塞貢多 — 2023 年 7 月 — EPC 宣佈推出兩款新的 40 V 額定輻射硬化 GaN FET。EPC7001 是一款 40 V、4 mΩ、250 A脈衝、輻射硬化 GaN FET,尺寸僅為 7 mm2EPC7002 是一款 40 V、14.5 mΩ、62 A脈衝、輻射硬化 GaN FET,尺寸僅為 1.87 mm2。這兩款裝置的總劑量輻射評級超過 1,000K Rad(Si),並且在 VDS 高達額定崩潰電壓 100% 的情況下,具有 83.7 MeV/mg/cm2 的 LET 抗單粒子效應免疫力。這些新裝置與其他輻射硬化系列產品一樣,均以芯片級封裝提供。封裝版本可從 EPC Space 獲得。

EPC 的 eGaN FET 和 IC 提供了比傳統輻射硬化矽裝置更高的性能替代方案,適用於高可靠性和太空應用。EPC 的輻射硬化裝置顯著更小,電性能提高了 40 倍,且成本低於輻射硬化矽裝置。此外,EPC 的輻射硬化裝置具有優越的抗輻射能力,能夠支持比傳統矽解決方案更高的總輻射水平和單粒子效應 LET 水平。

這些裝置的性能和快速部署可受益於多種應用,包括 DC-DC 電源轉換器、馬達驅動、激光雷達、深空探測器和離子推進器,特別適用於在低地球軌道 (LEO) 和地球同步軌道 (GEO) 以及航空電子系統中運行的衛星。

EPC 首席執行官兼聯合創始人 Alex Lidow 表示:「輻射硬化產品系列提供了無與倫比的性能和可靠性,並擁有顯著的太空遺產,能夠覆蓋廣泛的應用,並在太空和其他高可靠性軍事應用等苛刻環境中實現更高效和更強大的系統。」

供應情況

EPC7001 和 EPC7002 現已提供工程取樣。

關於 EPC

EPC 是增強型氮化鎵 (eGaN®) 基於電源管理的領導者。eGaN FET 和集成電路在 DC-DC 轉換器、遠程感測技術 (激光雷達)、電動出行、機器人和無人機的馬達驅動以及低成本衛星等應用中,提供比最佳矽功率 MOSFET 高出多倍的性能。

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eGaN 是 Efficient Power Conversion Corporation, Inc. 的註冊商標。

媒體聯繫:Efficient Power Conversion: Renee Yawger 電話: +1.908.619.9678 電子郵件: [email protected]