預測太陽能微型逆變器和電力優化器中氮化鎵器件的壽命 Posted 2023年8月15日 微型逆變器和功率優化器廣泛應用於現代太陽能板，以最大化能量效率和轉換。這種拓撲和實施通常需要至少25年的壽命，這對市場採用來說是一個關鍵挑戰。低電壓氮化鎵（GaN）功率裝置（VDS額定值< 200 V）是一個有前景的解決方案，越來越多的太陽能製造商正在廣泛使用這些裝置。 在本文中，採用測試至失效的方法來調查氮化鎵晶體管的內在磨損機制。該研究使得基於物理的壽命模型得以開發，這些模型可以準確地預測在各種太陽能應用中的獨特任務剖面下的壽命。 How2Power 2023年8月 閱讀文章 相關的熱門文章 原位 RDS(on) 表徵及 GaN HEMT 在重複過電壓開關下的壽命預測 Test-to-Fail Methodology for Accurate Reliability and Lifetime Evaluation of eGaN Devices in Solar Applications 專家於APEC 2024評估氮化鎵（GaN）和碳化矽（SiC） 高效能，3 kW 功率，2相，3級轉換器，使用並聯的 eGaN FET Podcast: EPC 在 GaN 可靠性、輻射硬化和新太空應用方面的進展